一。
  第二张图，光源gIwaxs，电镜Tem、aFm之类有关形貌学上的表征都不用放，甚至也不用测试，因为这个不是文章的重点。
  许秋打算直接放最佳的器件性能，包括器件结构图、J-V曲线，eQe曲线，同样是abc三张图片合一。
  第三张图，直接放两组照片，一组是半透明器件本身的照片，另一组把魔都综合大学的彩色Logo打印出来，然后把半透明器件放在彩色Logo上进行拍照。
  一方面可以清楚的看出叠加了半透明器件位置的图像和未叠加位置图像的区别，另一方面还可以顺带宣传一波母校。
  这也是许秋在阅读文献中获得的灵感，他之前就看到过中科院化学研究所卢长军课题组表的文章，对方拍的照片中带着as的文字标识，是那种一张纸上斜着打印了一排排的“as”，还是黑白的，看起来比较弱鸡。
  许秋这次直接上彩图Logo，逼格更高一些。
  第四张图，许秋打算给“自己”增加点工作量，深入研究体系，在不同电极厚度下器件的效率和对应的aVT数值。
  厚度值决定分别选择1o、12、14、16、18、2o、1oo纳米，其中1oo纳米作为正常器件，也就是标样进行参比，其他的薄层电极厚度都是包含1纳米金在内的。
  这里可以列一张表，用表格的形式详细列举出不同电极厚度下，pce、aVT等数据的变化情况。
  
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