我有科研辅助系统

ooo纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为1.12电子伏特。

      也因此，基于coi8dFIc二元体系的器件，短路电流密度就高达26毫安每平方厘米，三元体系更是达到了28毫安每平方厘米，比许秋现阶段拿到手的y系列受体都夸张。

      当然，高短路电流密度也是有代价的，那就是开路电压偏低，只有o.68伏特。

      不然，给这种电流密度配上一个o.8伏特以上的开路电压，打破现阶段世界纪录的课题组就不是许秋，而是李丹课题组了。

      同时，coi8dFIc还兼顾了IdIc系列的优点，在制备厚膜器件时，器件性能的衰减幅度较小。

      因此，许秋初步判断，这种材料或许是IeIco-4F等近红外受体材料的上位替代，值得进行尝试。

      周日。

      因为周六加班的缘故，许秋一觉睡到中午才醒。

      他取过手机，打算看一眼时间，却现微信像是被轰炸了一样，全是未读消息，还有一通来自魏兴思的未接来电。

      难怪许秋在睡梦中总感觉周围在震动，原来不是错觉，而是手机在震。

      他先看了眼魏老师的来电记录，是早上九点钟的，响铃7声就挂断了，且没有二次拨打。

      一般这种情况下，就不是什么要紧的事情，可能只是魏兴思突然有了一个科研想法，想和许秋分享一下

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